3）光吸收剂，当输电运与潜在的饱和吸收有关
一个温和的解决方案是将生长的外延层从基板上剥离和转移，检遇这允许高度不匹配的材料系统的异质集成。因此，上元通过异质外延实现高效率器件的单片集成变得复杂、昂贵、耗时。
此外，宇宙剥离的面积产量取决于转移的石墨烯层的质量。然而，当输电运随着Si上不同材料的异质集成变得越来越重要，我们相信这些方法将被重新审视和改进，以更快的产量和更低的成本。我们探索未来的集成计算系统，检遇可以利用先进的外延生长和liftoff方法。
领域匹配外延(domainmatchingepitaxy,DME)是一种典型的生长方式，上元它通过匹配界面上主要晶格平面区域来实现高质量的材料外延生长。这个过程类似于机械剥落，宇宙但有几个优点：首先，剥落深度是由二维材料的位置决定的，而不是由金属应力源膜的应力决定的，因此更容易控制。
因此，当输电运需要创新的方法来克服这些严格的外延晶格匹配规则，提高可制造性和可采用率。
这种技术对于生长在高能带隙衬底上的外延薄膜来说是快速和稳定的，检遇但因此在材料的可能范围方面受到限制当晶格失配率在几个百分点以上时，上元薄膜的hc大约为几个纳米，这意味着晶格匹配是实现无位错外延的严格要求。
块体2D材料表面没有悬空键，宇宙靠非常弱的vdW力将其结合在一起。当输电运[5,6]vdWE是一种在二维和三维材料上进行外延的方法2D材料或3D材料表面有钝化悬空键的表面。
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